SK海力士正与英特尔洽谈在美国制造内存芯片

据路透社援引匿名消息人士报道,韩国领先的内存芯片制造商SK海力士正在与英特尔就首次在美国生产RAM芯片进行谈判。
报道称,两家公司探讨了多种方案,包括SK海力士在英特尔拟建的俄亥俄州设施中租赁空间以制造芯片。他们还在考虑一种可能涉及云服务提供商的合资企业。
SK海力士周三向TechCrunch确认,尚未达成任何协议。“SK海力士正在探索各种方案以增强其全球竞争力,但目前尚未确定任何具体计划或安排,”这家半导体公司表示。“关于文章中提到的两种情景,尚未做出任何决定。”
韩国科技巨头已从人工智能数据中心使用的高带宽内存(HBM)芯片需求激增中受益,目前正在印第安纳州韦斯特拉法叶特建设一座耗资38亿美元的人工智能芯片先进封装和研发中心。计划于2029年开始大规模生产,使用在韩国制造的DRAM晶圆,并将其封装成HBM芯片。
如果交易继续进行,目前尚不清楚SK海力士将在俄亥俄州生产哪种类型的内存芯片。
随着全球芯片短缺加剧,特朗普政府旨在提高国内产量。今年1月,白宫宣布可能对半导体进口征收更广泛的关税,同时为在美国制造投资的公司提供关税减免。
SK集团会长崔泰源7月表示支持美国芯片生产,称如果可行,公司应在美国建厂,同时也在韩国湖南地区建厂。同月,这家芯片制造商在纳斯达克上市了其美国存托凭证,扩大了其在美国投资者中的渠道。
与英特尔的潜在合作可能面临国内审查。路透社报道,虽然首尔表示决定权在于SK海力士,但任何涉及战略重要芯片技术的计划都可能触发旨在防止敏感技术向国外转移的法律下的政府审查。
英特尔和SK海力士此前有业务关系:2020年,英特尔以90亿美元的价格将其NAND闪存业务出售给SK海力士。
英特尔未立即回应TechCrunch在非正常工作时间之外提出的置评请求。
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